Stránka 1 z 1

Ovládání MKS mosfetu - rozdíl mezi vstupy ?

PříspěvekNapsal: stř 12. čer 2019 9:45:38
od IJK111
MKS mosfety (jako např. https://www.ebay.com/itm/3D-Printer-Heating-Controller-MKS-MOSFET-for-Heat-Bed-Extruder-MOS-Module-G-C4G4/333220420487?_trkparms=aid%3D555018%26algo%3DPL.SIM%26ao%3D1%26asc%3D57921%26meid%3D75750b651540494cb86aeb1d522acdf0%26pid%3D100005%26rk%3D3%26rkt%3D12%26sd%3D123797882152%26itm%3D333220420487&_trksid=p2047675.c100005.m1851) mají pro ovládání dva vstupy, jeden označený jako BED a druhý jako SIG. Typicky se s nimi nahrazují méně výkonné a hůře chlazené MOSFETy přímo na řídící desce. V nepříliš detailních popisech se obvykle kreslí schema, co používá pouze zapojení původního výstupu na HeatBed na vstup BED (jako na příslušném odkazu).
K čemu má sloužit druhý ovládací vstup, označený jako SIG (někde jako 5-12V digital input apod.) ? Je mezi těmito vstupy nějaký zásadní rozdíl - tj. hraje roli, který se využije? Má v nějakém případě význam zapojení obou a jaká je pak logika chování (AND /OR) ?
Hledal jsem nějaké datasheety ale vesměs jsem se dopátral jen vlastností vlastního výkonového stupně (dopor, zatižitelnost apod).

Re: Ovládání MKS mosfetu - rozdíl mezi vstupy ?

PříspěvekNapsal: stř 12. čer 2019 14:04:32
od Sakul
To je podle mě zcela jednoduché. Ačkoli to nemám ověřeno vyjdu z logiky věci.
Používané mosfety jsou s kanálem N (nebudem rozebírat proč, to je už trochu složitější). To znamená, že se mohou sepnout přivedením kladného napětí na GATE. Ti pozornější již přišli na problém. Pokud by jsme takovýto mosfet chtěli připojit přímo na výstup řídící elektroniky tak jaksi pohoříme, protože tam není potřebný signál. Díky tomu, že už tam jeden mosfet je, spínáme záporné napětí (spínání v nule) a kladné je napřímo (trvale přítomno). Takže by již tento další mosfet nebylo možno sepnout. No a proto je na desce toho "výkonového" mosfetu i optočlen, který se postará o to, aby ho bylo možné sepnout libovolným signálem a zároveň galvanicky odděluje řídící elektroniku od výkonu.
Vstup označený SIG, LOG a podobně bude pravděpodobně přímé řízení toho mosfetu logickou 1. To jen v případě, připojení na vývod procesoru.
Dále může být výhodné (někdy i nutné) spínat tento mosfet vyšším napětím než 5V, protože pak bude mít ten čínský šit lepší (menší) přechodový odpor a tím pádem bude méně topit.
Navíc každý takovíto "výkonový" mosfet může mít jiné zapojení a je třeba to ověřit na daném typu. Nikdy nevěřte obrázkům a schématům co dává číňan. Většinou to není ono i když to na první pohled vypadá naprosto stejně.
A ještě jedna perla na závěr. Většinou jsou tyto "výkonové" mosfety větší šity než má přímo řídící deska. Dohnané je to právě větším spínacím napětím a namontovaným chladičem. Použití IRLB3034 (originální né čina), zvládá spínat cca 15A trvale bez jakéhokoli chlazení s napětím GATE 4,5V. Při PWM řízení proud významně roste při zachování provozu bez chladiče.